单项选择题

位错缠结的多边化发生在形变合金加热的（）阶段。

A.回复
B.再结晶
C.晶粒长大

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单项选择题
Cottrell气团理论对应变时效现象的解释是（）

A.溶质原子再扩散到位错周围
B.位错增殖的结果
C.位错密度降低的结果
单项选择题
已知Cu的Tm=1083摄氏度，则Cu的最低再结晶温度约为（）

A.200摄氏度
B.270摄氏度
C.350摄氏度
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