‎附图二级运放电路中，所有MOS晶体管的沟道长度L均为1μm。如果采用以下PMOS晶体管模型，可以计算得到M₅和M₇的电流分别为多少？（）
MODEL p08PMOS VTO =-0.70KP =50U GAMMA =0.57LAMBDA =0.05+PHI =0.8MJ =0.5MJSW =0.35CGBO =700P CGSO =220P CGDO =220P +CJ =560U CJSW =350P LD =0.014U TOX =14N

A.单位增益带宽
B.压摆率
C.相位裕度
D.开环增益

A.适当增大M₁的沟道长度L
B.适当增大M₂的沟道宽度W
C.适当增大M₁的沟道宽度W
D.适当增大M₁的栅极直流偏置电压VG

A.增大电容C ，其它参数不变
B.减小电容C ，其它参数不变
C.增大电阻R ，相应增大电阻R_f，其它参数不变
D.减小电阻R ，相应减小电阻R_f，其它参数不变

A.M₄
B.M₂
C.M₅
D.M₁

A.-90度
B.-40度
C.90度
D.160度

A.M₇的作用是为共源放大级提供偏置电流
B.Cc的作用是密勒补偿，保证运放具有足够大的相位裕度
C.M₁/M₂构成NMOS差分输入级，M₃/M₄是差分输入级的负载
D.M₆构成NMOS共源放大级

A.M₁进入线性区，M₂进入截止区
B.M₁和M₂都进入线性区
C.M₁进入线性区，M₂工作在饱和区
D.M₁和M₂始终工作在饱和区

A.M₁的衬底接VDD ，M₂的衬底接地
B.M₁和M₂的衬底都接地
C.M₁的衬底接地，M₂的衬底接VDD
D.M₁和M₂的衬底都接VDD

A.M₁
B.都不存在背栅效应
C.M₁和M₂
D.M₂

A.X₁是电阻，X₂是电容
B.X₁是电容，X₂是电阻
C.X₁是电感，X₂是电阻
D.X₁是电阻，X₂是电感