单项选择题
A.1／2～1／4； B.1／5～1／10； C.1／3～1／5； D.1／10～1／20。
A.激磁电流在一、二次绕组的漏阻抗上产生的压降； B.激磁电流在激磁阻抗上产生的压降； C.激磁电流在一次绕组的漏阻抗上产生的压降； D.泄漏磁通。
A.甲； B.乙； C.丙； D.甲乙。