单项选择题

‌测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=-3V，VGS=-2V，VTP=-1V；其中VTP为增强型PMOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域？（）

A.恒流区（饱和区、放大工作区）
B.预夹断临界点
C.截止区
D.可变电阻区

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单项选择题
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=-1V，VPN=-2V；其中VPN为耗尽型MOS管的夹断电压；试判断该管工作在什么区域？（）

A.可变电阻区
B.截止区
C.预夹断临界点
D.恒流区（饱和区、放大工作区）
单项选择题
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=2V，VTN=1V；其中VTN为增强型MOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域？（）

A.截止区
B.预夹断临界点
C.饱和区（恒流区、放大工作区）
D.可变电阻区
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