单项选择题

‌测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值,VDS=-3V,VGS=-2V,VTP=-1V;其中VTP为增强型PMOS管的开启电压;试判断该管工作在什么区域?()

A.恒流区(饱和区、放大工作区)
B.预夹断临界点
C.截止区
D.可变电阻区

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单项选择题
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值,VDS=3V,VGS=-1V,VPN=-2V;其中VPN为耗尽型MOS管的夹断电压;试判断该管工作在什么区域?()

A.可变电阻区
B.截止区
C.预夹断临界点
D.恒流区(饱和区、放大工作区)

单项选择题
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值,VDS=3V,VGS=2V,VTN=1V;其中VTN为增强型MOS管的开启电压;试判断该管工作在什么区域?()

A.截止区
B.预夹断临界点
C.饱和区(恒流区、放大工作区)
D.可变电阻区

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