设运动位错被钉扎以后，其平均间距
(ρ为位错密度)，又设Cu单晶已经应变硬化到这种程度，作用在该晶体所产生的分切应力为14MPa，已知G=40GPa，b=0.256nm，计算Cu单晶的位错密度。

【参考答案】

运动位错被钉扎以后，长度为l的位错线段可作为位错源，所产生的分切应力即为开动此位错源所需的分切应力，即
......

(↓↓↓ 点击下方‘点击查看答案’看完整答案 ↓↓↓)