单项选择题

硅的单向导电性比锗的______。

A．好
B．差
C．无明显区别
D．以上都不对
<上一题 目录 下一题>
热门 试题

单项选择题
不能用R×10K档测量二极管的原因是该档位______。
A．电源电压过大，易使二极管击穿
B．电流过大，易使二极管烧毁
C．内阻过小，易使二极管烧毁
D．内阻过大，易使二极管无法导通
单项选择题
在如图所示的电路中，VD1和VD2为理想二极管，图中VD1，VD2的状态为（）。

A．VD1、VD2导通
B．VD1导通，VD2截止
C．VD1导通，VD2截止
D．VD1、VD2、VD3导通
单项选择题
Ge二极管VD，电压E和电阻R（R=3kΩ）组成的电路如图所示，该电路中电流比较准确的值是（）mA。

A．0
B．0.27
C．0.4
D．0.5
单项选择题
用万用表不同欧姆档测量二极管正向电阻时，会观察到其测得的阻值不同，其根本原因是______。
A．万用表不同的欧姆档有不同的阻值
B．二极管有非线性的特性
C．二极管的质量差
D．以上都不对
单项选择题
用万用表R×1K档判别二极管的管脚，在测得指针偏转很大那次红表笔接______。
A．正极
B．负极
C．都有可能
D．无法确定
单项选择题
用万用表的“R×10”档和“R×100”档测量同一个二极管的正向电阻，两次测得的值分别为R1和R2，则二者相比______。
A．R1＞R2
B．R1=R2
C．R1＜R2
D．无法确定
单项选择题
用万用表直流电压档分别测出VD1、VD2和VD3正极与负极对地的电位如图所示，VD1、VD2、VD3的状态为（）。

A．VD1、VD2、VD3均正偏
B．VD1反偏，VD2、VD3正偏
C．VD1、VD2反偏，VD3正偏
D．VD1、VD2、VD3均正偏
单项选择题
把—个二极管直接同一个电动势为1.5V，内阻为0的电池正向连接，该二极管______。
A．击穿
B．电流为0
C．电流正常
D．电流过大使管子烧坏
单项选择题
二极管的导通条件是______。
A．uD＞0
B．uD＞死区电压
C．uD＞击穿电压
D．uD＜死区电压
相关试题