用1M×4的DRAM芯片通过（）扩展可以获得4M×8的存储器。

小容量RAM内部存储矩阵的字数与外部地址线数n的关系一般为（）

A.2n
B.22n
C.＞22n
D.＜2n

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如要将一个最大幅度为5.1V的模拟信号转换为数字信号，要求输入每变化20mV，输出信号的最低位（LSB）发生变化，应选用（）位ADC。

A.6
B.8
C.10
D.12

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