以SnO粉作为热蒸发的原料，SnO在一定温度下分解低熔点的Sn，Sn吸附气相分子SnO和O₂生成过饱和的SnO₂析出，最终形成SnO₂纳米线，属于（）

利用激光脉冲束将硅靶材瞬间加热后经过（）过程得到Si纳米线。

A.液滴成核-气化-纳米线-固化析出
B.液滴成核-气化-固化析出-纳米线
C.气化-液滴成核-固化析出-纳米线
D.气化-固化析出-液滴成核-纳米线

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Shyne和Milewski在20世纪60年代提出晶须生长的VLS机理，VLS法生长的纳米线直径取决于（）

A.气相反应物
B.催化剂尺寸
C.反应时间
D.反应温度

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