多项选择题

影响CVD质量的因素有()

A.沉积温度
B.反应气体的比例
C.基体材料
D.压强

<上一题 目录 下一题>
热门 试题

多项选择题
蒸镀制膜主要包括的物理阶段有()

A.淀积材料蒸发或升华为气态
B.原子从蒸发源输运到基片
C.蒸气粒子在基片上沉积
D.粒子在基片表面重排凝结成膜

多项选择题
提拉法生长单晶体的优点有()

A.可以直接观察晶体的生长状况,为控制晶体外形提供了有利条件
B.晶体在熔体的自由表面处生长,能够显著减小晶体的应力
C.可以得到不同取向的单晶体,降低位错密度
D.能够以较快的速度生长较高质量的晶体

相关试题
  • 关于溶胶凝胶法,下面哪些说法是正确的?()
  • 关于液相烧结正确的说法有()