单项选择题
A.电离B.加热C.蒸发D.粉化处理
A.导电型杂质掺杂用离子注入法，而热扩散法没有这样要求B.离子注入法会造成晶体物理损伤，热扩散法不会C.离子注入法主要控制电压高低和硅片的移动，热扩散法主要控制扩散的时间和杂质气体的压力D.热扩散法要比离子注入法掺杂控制得更精确
A.获得优良的SiO2绝缘膜B.退火，降低位错密度C.提高集成电路的稳定性D.去除杂质