填空题

生产多晶硅带的方法主要有定边喂膜法、蹼状枝晶法、绳带法和模板生长法,其中产出率最高的方法为()

【参考答案】

模板生长法
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填空题
氢化非晶硅的禁带宽度可调,含氢量增加,禁带宽度();在非晶硅中掺入Ge元素,其禁带宽度()。
填空题
在单晶硅表面制作绒面时,常用的各向异性腐蚀剂有有机腐蚀剂和(),并且被腐蚀的单晶硅表面为100晶面时,可形成金字塔方椎形状,腐蚀后方椎高度一般为3~6µm。
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