单项选择题

以下材料中，结晶过程中以非小平面方式生长的是（）

A.金属锗
B.透明环己烷
C.氧化硅

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单项选择题
由于晶核产生于高畸变能区域，再结晶在（）部位不易形核。

A.大角度晶界和孪晶界
B.相界面
C.外表面
单项选择题
开始发生再结晶的标志是（）

A.产生多变化
B.新的无畸变等轴小晶粒代替变形组织
C.晶粒尺寸显著增大
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