单项选择题
A.金刚石一般采取固相生长法B.Si晶体一般采用溶液生长法C.GaN可以采取气相生长法D.任何两相之间都有亚稳区存在，当热力学条件处于亚稳相区才有新相的产生
A.一般所有的杂质都可以充当形核的基底B.降低湿润角，一般需要选择与晶核相同晶体结构，相近的点阵常数作为异质形核点C.当同质外延或直接从单质熔液生长单晶时，润湿角为零D.杂质表面的形状对于表面形核有影响，凹面促进形核
A.晶体的生长单元比例x=NA/N，如果x〉50%就是粗糙界面，x〈50%就是光滑界面B.x=50%是粗糙界面，x=0%或者100%为光滑界面C.界面的相对吉布斯自由能与x无关D.对于粗糙面，晶体生长采取二维成核或者自然台阶层状生长