问答题
案例分析题
以下两图属于同类型存储器单元。试回答以下问题:
它们两个都是哪一种类型存储器单元?分别是什么类型的?
【参考答案】
同属于现场可编程ROM(PROM),(a)为熔丝型PROM存储单元;(b)为PN结击穿PROM存储单元。
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试题
问答题
给出一管单元DRAM的原理图,并给出版图。
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问答题
对1T DRAM,假设位线电容为1pF,位线预充电电压为1.25V。在存储数据为1和0时单元电容Cs(50fF)上的电压分别等于1.9V和0V。这相当于电荷传递速率为4.8%。求读操作期间位线上的电压摆幅。
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