晶体硅片蚀刻清洗的生产工艺有酸性蚀刻和碱性蚀刻两种，其中酸性蚀刻是采用（）和硝酸的混合溶液，醋酸和磷酸当缓冲剂，一般去除约10-20µm厚的表面层。

目前多晶硅原料的制备方法主要有三氯氢硅法（改良西门子法）和（）两种方法。 点击查看答案

对于晶体硅太阳能电池，环境对开路电压和短路电流有一定影响，其中受温度影响较大的是（），受太阳辐照度影响较大的是（） 点击查看答案