简答题 试问单管DRAM单元的读出是不是破坏性的？怎样补充这一不足？（选作）有什么办法提高refresh time？

【参考答案】

单管DRAM单元的读出是破坏性的，存放在单元中的电荷数量在读操作期间会被修改，因此为了使一次读操作后再恢复它原来的值，单......

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