单项选择题
A.H=I/2π·r2 B.H=I/2π·r C.H=I·r/2π·R D.H=I/2π·r·R
A.a B.b C.c D.d
A.与缺陷的深宽比有关 B.内部缺陷所产生的漏磁场随缺陷埋藏深度的增加而加大 C.漏磁场随着工件内磁感应强度的增加而减小 D.缺陷平行于磁场方向时漏磁场最小 E.A和D是对的