计算题

在如图所示电路中，已知V_CC＝16V，R_L＝4Ω，T₁和T₂管的饱和管压降│U_CES│＝2V，输入电压
足够大。试问：
（1）最大不失真输出功率P_om和实际效率η各为多少？
（2）每个晶体管的最大功耗P_Tm1、P_Tm2为多少？

增强型FET能否用自偏压的方法来设置静态工作点？试说明理由。 点击查看答案

电路如图所示（射极偏置电路），设在它的输人端接一内阻Rs＝5K的信号源．电路参数为：Rb1＝33K，Rb2＝22K。Re＝3．9K，Rc＝4．7K，RL＝5．1K，Ce＝50μF（与Re并联的电容器）．Vcc＝5V．IE≈0.33mA，β0＝120，rce＝300K，rbb′=50，fT=700MHZ及Cb′c=1pF。求 （1）输入电阻Ri； （2）中频区电压增益|AVM|； （3）上限频率fH。 点击查看答案