计算题 设锗中施主杂质的电离能ΔE_D=0.01eV，在室温下导带底有效状态密度N_c=1.04×10¹⁹/cm³，若以施主杂质电离90%作为电离的标准，试计算在室温（T=300K）时保持杂质饱和电离的施主杂质浓度范围。

一硅半导体含有施主杂质浓度ND=9×1015 cm3，和受主杂质浓度NA=1.1×1016 cm3，求在T=300K时（ni=1.3×1010 cm3）的电子空穴浓度以及费米载流了浓度。 点击查看答案

一块n型硅材料，掺有施主浓度ND=1.5×1015 cm3，在室温（T=300K）时本征载流浓度ni=1.3×1012 cm3，求此时该块半导体的多数载流子浓度和少数载流子浓度。 点击查看答案