单项选择题
A.行地址控制器延迟时间,简称CL B.列动态时间,也称tRAS C.列地址控制器预充电时间,简称tRP
A.列地址至行地址的延迟时间,简称RCD B.行地址控制器延迟时间 C.列动态时间,也称tRAS,表示一个内存芯片上两个不同的列逐一寻址时所造成的延迟 D.列地址控制器预充电时间,简称tRP
A.列地址至行地址的延迟时间,简称RCD B.内存位宽的英文缩写 C.CPU二级缓存的英文缩写 D.行地址控制器延迟时间