单项选择题

从提高晶体管放大能力出发，除了将晶体管基区做得很薄，且掺杂浓度很低之外，工艺上还要采取如下措施（）。

A.发射区掺杂浓度高，集电结面积小
B.发射区掺杂浓度高，集电结面积大
C.发射区掺杂浓度低，集电结面积小
D.发射区掺杂浓度第低，集电结面积大

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热门试题

单项选择题

晶体三极管的发射极正偏，集电极正偏时，晶体三极管所处的状态是（）。

A.放大状态
B.饱和状态
C.截止状态
D.倒置状态

单项选择题

二极管正极电位为5.6V，负极电位为5V，则该管处于（）。

A.零偏
B.反偏
C.正偏
D.击穿

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