判断题

体心立方的晶体堆砌密度要高于面心立方。

【参考答案】

错误
<上一题 目录 下一题>
热门 试题

判断题
‌CVD方法生长的薄膜材料一般纯度和致密性都很好，但是反应的源气、余气有毒。
判断题
区熔法可以生长熔点极高的晶体。‌
相关试题