单项选择题

绝缘栅双极晶体管IGBT是一种（）结构的半导体器件。

A.四层三端
B.三层三端
C.五层三端
D.三层二端

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热门 试题

单项选择题
有关MOSFET的通态电阻，表述正确的是（）

A.MOSFET的通态电阻具有负温度系数，不能并联使用。
B.MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。
C.MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流不利。
单项选择题
功率晶体管GTR会发生（）现象，会立即导致器件的永久损坏，或工作特性明显衰变，因而对GTR危害极大。

A.一次击穿
B.临界饱和
C.反向截止
D.二次击穿
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