简答题 试说明NMOS和PMOS的源漏是如何形成的及为什么？

【参考答案】

LDD技术（轻掺杂漏注入技术）结构：在沟道的漏端及源端增加低掺杂区。LDD使用的较大质量的掺杂材料使硅片的上表面成为非晶......

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