单项选择题

杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（）

A.变大，变小
B.变小，变大
C.变小，变小
D.变大，变大
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单项选择题
如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央，则它对电子的俘获率（）空穴的俘获率。

A.大于
B.等于
C.小于
D.有效的复合中心
单项选择题
与半导体相比较，绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量（）
A、比半导体的大
B、比半导体的小
C、与半导体的相等
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