双侧向DLLT-B 测前、测后刻度，内刻的数值误差应在（）Ω·m 范围内。

中子孔隙度DSNT 测井，主曲线、重复曲线的测量误差应在（）P.U 范围之内。

A.±0.1
B.±1
C.±0.5
D.±5

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双源距中子DSNT 长、短源距探测器的高压分别是（）。

A.1400V、1600V
B.1100V、1300V
C.1300V、1100V
D.1600V、1400V

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