多项选择题

ICP中等离子体环状结构形成的原因是（）。

A.高频电流的趋肤效应
B.内管栽气的气体动力学作用
C.高频发生器
D.三层炬管
E.单层炬管

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多项选择题
ICP-AES法中检出限高低取决于（）。

A.仪器操作参数
B.进样方法
C.元素性质
D.酸度
E.操作水平
多项选择题
ICP光谱干扰包括（）。

A.连续背景辐射
B.谱线重叠干扰
C.挥发和原子化干扰
D.激发和电离干扰
E.化学干扰
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