单项选择题
A、外圆切割 B、内圆切割 C、多线切割 D、单线切割
A.三氯氢硅还原法 B.辉光放电法 C.硅烷热分解法 D.四氯化硅还原法
A、抑制高掺杂效应 B、增加各区少子寿命 C、加强漂移场减少表面负荷 D、增加空间电荷区的复合能级