UO_2+x在氧化气氛中可形成（）型非计量化合物，可形成（）型半导体，缺陷浓度与氧分压的1/6次方成（），如果减少周围氧气的分压，UO_2+x的密度将（）

由于（）的结果，必然会在晶体结构中产生“组分缺陷”， 组分缺陷的浓度主要取决于（）和（） 点击查看答案

晶体的对称要素中微观对称要素种类有（） 点击查看答案