单项选择题

CVD装置相比于PVD装置有什么明显优势?()

A.装料多
B.绕射度好,台阶处不易断线
C.需要的真空度低
D.以上都是

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热门 试题

单项选择题
下列哪一种CVD制膜方法使用了卤族灯加热(可以直接快速加热进行CVD反应)?()

A.外延生长法
B.等离子CVD
C.常压CVD
D.RTP CVD

多项选择题
利用CVD的方法制造多晶Si膜,常压CVD需要900℃,采用低压CVD可以()。

A.加快沉积速度
B.少量降低温度
C.提高膜的均匀性
D.提高膜的稳定性

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