单项选择题
A.装料多B.绕射度好,台阶处不易断线C.需要的真空度低D.以上都是
A.外延生长法B.等离子CVDC.常压CVDD.RTP CVD
A.加快沉积速度B.少量降低温度C.提高膜的均匀性D.提高膜的稳定性