单项选择题

外加（）电压时，P区接电源正极，N型接负极，空间电荷区变（）。

A.反向，窄
B.反向，宽
C.正向，窄
D.正向，宽

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单项选择题
每门静态功耗，TTL与CMOS门相比较应（）

A.前者大
B.后者大
C.一样大
D.无法比较
单项选择题
关于RAM的哪个叙述不正确？（）

A.信息可读
B.断电后原信息消失
C.可写入信息
D.断电后原信息保持
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