单管DRAM位线上的分布电容电荷大，降低了存储高电平的电位，仅达到（），因此需要增加灵敏恢复/放大电路放大电压，达到高电平的值。

四管动态存储单元电路不需要灵敏恢复 放大电路的原因是（）。

A.输出高电平的电位足够高
B.输出低电平的电位足够高
C.电容可以存储电荷
D.用锁存器的输出存储电平

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QDR SDRAM为（）。

A.同步动态随机存储器
B.异步静态随机存储器
C.2倍速同步随机存储器
D.4倍速同步动态随机存储器

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