单项选择题
A.材料纯度升高B.减少晶界、亚晶界数量C.减少材料内部位错D.应力增大
A.oa 段为不可逆磁化区；ab 段为初始磁化区；bc 段为趋近饱和区；cs 段为旋转磁化区B.oa 段为初始磁化区；ab 段为不可逆磁化区；bc 段为旋转磁化区；cs 段为趋近饱和区C.oa 段为初始磁化区；ab 段为旋转磁化区；bc 段为趋近饱和区；cs 段为不可逆磁化区D.oa 段为初始磁化区；ab 段为旋转磁化区；bc 段为不可逆磁化区；cs 段为趋近饱和区
A.A 表示剩余磁感强度；B 表示试样的磁感应强度；C 表示矫顽力；H 表示磁化磁场强度B.A 表示矫顽力；B 表示试样的磁感应强度；C 表示剩余磁感强度；H 表示磁化磁场强度C.A 表示矫顽力；B 表示磁化磁场强度；C 表示剩余磁感强度；H 表示试样的磁感应强度D.A 表示剩余磁感强度；B 表示磁化磁场强度；C 表示矫顽力；H 表示试样的磁感应强度