判断题
擎住效应是由于IGBT中寄生的二极管造成的。
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判断题
电力MOSFET内部寄生了一个反向二极管,所以不能承受反向电压。
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判断题
能用控制信号控制开通,但不能控制关断的功率半导体器件,称为半控型器件。
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