问答题
计算题 轻掺杂的硅样品在室外温下,外加电压使电子的漂移速度是它的热运动速度 的十分之一,一个电子由于漂移而通过1μm区域中的平均碰撞次数和此时加在这个区域的电压为多少?
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问答题
(1)证明,且电子浓度,空穴浓度时,材料的电导率σ最小,并求出σmin的表达式。 (2)试求300K时,InSb的最小电导率和最大电导率,什么导电类型的材料电阻率可达最大?(T=300K时,InSb的)
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问答题
分别计算有下列杂质的硅,在室温时的载流子浓度和电阻率; (1)3×1015硼原子 cm3 (2)1.3×1016硼原子 cm3+1.0×1016磷原子 cm3 (3)1.3×1016磷原子 cm3+1.0×1016硼原子 cm3+1.0×1017砷原子 cm3
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