填空题

GaAs中少量Zn代替Ga是（）型；InAs含有稍微过量的In是（）型。

【参考答案】

p；n

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填空题

VO（化学计量为1：1）的密度测得值和理论值分别为5.92g·cm-3和6.49g·cm-3，证明VO晶体中存在的缺陷属于（）。

问答题

铝为面心立方结构，其晶格参数为4.049A，密度的计算值和实验测定值（2.697g·cm-1）有差别，反映了晶体中存在有空位缺陷，试求1cm3单位体积晶体中的空位数。