计算题

电路如图所示，设R₁＝R₂＝100kΩ，V_DD＝5V，R_d＝7.5kΩ，V_T＝－1V，K_P＝0.2mA／V₂。试计算如图所示P沟道增强型MOSFET共源极电路的漏极电流I_D和漏源电压V_DS。

电路如图所示。 （1）当输入方波电流的频率为200Hz时，计算输出电压的平顶降落； （2）当平顶降落小于2％时，输入方波的最低频率为多少？ 点击查看答案

电路如图所示（射极偏置电路），设信号源内阻Rs＝5k，电路参数为：Rb1＝33k，Rb2＝22k，Re＝3.9k，RC＝4.7，RL＝5.1k，在Re两端并接一电容Ce＝50μF，VCC＝5V，IEQ≈0.33mA，βo＝120，rce＝300k，rbb’＝50，fT＝700MHz及Cb’e＝1pF。求： （1）输入电阻Ri； （2）中频区电压增益； （3）上限频率fH。 点击查看答案