单项选择题
A、内部缺陷处的漏磁通，比同样大小的表面缺陷为大 B、缺陷的漏磁通通常同试件上的磁通密度成反比 C、表面缺陷的漏磁通密度，随着离开表面距离的增加而急剧减弱 D、用有限线圈磁化长的试件，不需进行分段磁化
A．缺陷离试件表面越近，形成的漏磁通越小 B．在磁化状态、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受缺陷方向影响 C．交流磁化时，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时的漏磁通要小 D．在磁场强度、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受磁化方向影响； E．除A以外都对
A、与磁化电流的大小无关 B、与磁化电流的大小有关 C、当缺陷方向与磁化场方向之间的夹角为零时，漏磁场最大 D、与工件的材料性质无关