IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而（），开关速度（）电力MOSFET 。

MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的（）、前者的饱和区对应后者的（）、前者的非饱和区对应后者的（）。 点击查看答案

晶闸管的基本工作特性可概括为（）。 点击查看答案