计算题若锗在T=300K时，N_C=1.1×10¹⁹cm^-3，N_V=0.51×10¹⁹cm^-3，禁带宽度为E_g=0.67eV。 计算电子和空穴的有效质量m^*_e和m^*_h。

定性解释P－N结的单向导电性。 点击查看答案

在导出P－N结的I－V特性时，全部偏压都降在结空间电荷区。试说明这一假设的合理性。 点击查看答案