问答题
计算题 某种光电材料的逸出功为1Ev,试计算该材料的红限波长。
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问答题
本征半导体材料Ge在297K下其禁带宽度E=0.67(eV),现将其掺入杂质Hg,锗掺入汞后其成为电离能Ei=0.09(eV)的非本征半导体。试计算本征半导体Ge和非本征半导体锗汞所制成的光电导探测器的截止波长。
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问答题
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