计算题 某种光电材料的逸出功为1Ev，试计算该材料的红限波长。

本征半导体材料Ge在297K下其禁带宽度E=0.67（eV），现将其掺入杂质Hg，锗掺入汞后其成为电离能Ei=0.09（eV）的非本征半导体。试计算本征半导体Ge和非本征半导体锗汞所制成的光电导探测器的截止波长。 点击查看答案

证明点光源照度的距离平方反比定律，两个相距10倍的相同探测器上的照度相差多少倍？ 点击查看答案