多晶硅的生产方法主要包含：（）1、SiCl4法2、硅烷法3、流化床法4、西门子改良法5、冶金法6、气液沉淀法7、重掺硅废料提纯法

A、加料—→熔化—→缩颈生长—→放肩生长—→等径生长—→尾部生长
B、加料—→熔化—→缩颈生长—→放肩生长—→尾部生长—→等径生长
C、加料—→缩颈生长—→熔化—→放肩生长—→尾部生长—→等径生长
D、加料—→放肩生长—→缩颈生长—→熔化—→尾部生长—→等径生长

A.调整晶体生长的热系统，使热场的径向温度梯度增大
B.调节拉晶的运行参数，例如对于凸向熔体的界面加快拉速，增加其凝固速度增加利用结晶潜热使界面趋于平坦
C.调整晶体或者坩埚的转速，调整高温液流的增减
D.增大坩埚内径与晶体直径的比值