问答题
计算题
本征半导体中，从价带激发至导带的电子和价带产生的空穴参与电导。激发的电子数n可近似表示为n=Nexp（-Eg/2KT）：，式中N为状态密度，k为波尔兹曼常数，T为绝对温度。试回答以下问题：
【参考答案】
问答题
本征半导体中，从价带激发至导带的电子和价带产生的空穴参与电导。激发的电子数n可近似表示为n=Nexp（-Eg/2KT）：，式中N为状态密度，k为波尔兹曼常数，T为绝对温度。试回答以下问题：