单项选择题

‍欲使N沟道增强型场效应管具有导电沟道，应使（）。

A.U_GS＞U_GS，off
B.U_GS＞U_GS，th
C.U_GS＜U_GS，off
D.U_GS＜U_GS，th

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热门试题

单项选择题

掺杂浓度低的半导体会引起雪崩击穿的原因是反向电压增高时，少子获得能量高速运动，在空间电荷区与原子发生碰撞电离，使（）激增。

A.多子
B.反向电流
C.载流子
D.反向电压

单项选择题

当反向电压增高时，少子获得能量高速运动，在空间电荷区与原子发生碰撞，产生碰撞电离使反向电流激增，形成连锁反应，属于（）击穿。

A.多子
B.热击穿
C.齐纳
D.雪崩

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