问答题
简答题 IGBT的正偏置电压V
GE(on)
与V
CE
、Eon有什么关系?
【参考答案】
IGBT的正偏置电压V
CE
增加,V
CE
下降,开通损耗Eon也下降,负载短路时......
(↓↓↓ 点击下方‘点击查看答案’看完整答案 ↓↓↓)
点击查看答案
<上一题
目录
下一题>
热门
试题
问答题
栅极电容CGS有什么特点?对IGBT的驱动有什么影响?
点击查看答案
问答题
栅极关断电压-VGE或选择0V对IGBT的影响是怎样的?
点击查看答案
相关试题
摄像头常见问题与原因是怎样的?
摄像头与对焦技术的关系是怎样的?
摄像头的技术指标以及其特点是怎样的?
摄像电路中数字信号处理芯片的特点是怎样的?
摄像电路中的A-D转换器的特点是怎样的?