多项选择题

如图所示，下列说法正确的是（）。

A.这是耗尽型MOSFET的输出特性曲线，其中A区为饱和区，B区为线性工作区
B.这是增强型MOSFET的输出特性曲线，其中C区为击穿区，D区为截止区
C.这是增强型MOSFET的输出特性曲线，其中A区为可变电阻区，B区为饱和区
D.这是耗尽型MOSFET的输出特性曲线，其中C区为截止区，D区为击穿区

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热门试题

多项选择题

关于图解分析法，下面说法正确的是（）。

A.对于增强型MOS管，在恒流区满足伏安特性方程，其中I_DO是指v_GS=2V_T的i_D
B.对于耗尽型MOS管，在恒流区满足伏安特性方程，其中I_DSS是指v_GS=2V_P的i_D
C.图解分析法是将直流通路分为非线性部分和线性部分，非线性部分的伏安特性曲线是转移特性，线性部分的伏安特性曲线是直流负载线
D.为了求解放大电路的静态工作点，画直流通路，然后可用估算法或者图解分析法求解

单项选择题

图解法求解静态工作点时，将电路分为两个部分如图所示（）。

A.电路部分A是非线性电路，该电路的伏安特性曲线是直流负载线方程；电路部分B是非线性电路，该电路的伏安特性曲线是输出特性曲线
B.电路部分A是线性电路，该电路的伏安特性是直流负载线方程；电路部分B是线性电路，该电路的伏安特性是输出特性曲线
C.电路部分A是线性电路，该电路的伏安特性曲线是输出特性曲线；电路部分B是非线性电路，该电路的伏安特性是直流负载线方程
D.电路部分A是非线性电路，该电路的伏安特性曲线是输出特性曲线；电路部分B是线性电路，该电路的伏安特性是直流负载线方程