问答题
简答题 采用MOSFET作为nMOS反相器的负载器件有哪些优点?
【参考答案】
采用负载电阻会占用大量的芯片面积,而晶体管占用的硅片面积通常比负载电阻小,并且有源负载反相器电路比无源负载反相器有更好的......
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试题
问答题
设计一个VOL=0.6V的电阻负载反相器,增强型驱动晶体管VT0=1V, VDD=5V 1)求VIL和VIH 2)求噪声容限VNML和VNMH
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问答题
考虑一个电阻负载反相器电路:VDD=5V,KN`=20uA V2 ,VT0=0.8V,RL=200KΩ,W L=2。计算VTC曲线上的临界电压值(VOL、VOH、VIL、VIH)及电路的噪声容限,并评价该直流反相器的设计质量。
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